ЛИЗМОП

Эту страницу предлагается объединить с Транзистор с плавающим затвором. Пояснение причин и обсуждение — на странице Википедия:К объединению/6 ноября 2011. Обсуждение длится одну неделю (или дольше, если оно идёт медленно). Дата начала обсуждения — 2011-11-06. Если обсуждение не требуется (очевидный случай), используйте другие шаблоны. Не удаляйте шаблон до подведения итога обсуждения.

ЛИЗМОП (англ. FAMOS - Floating gate Avalanche injection Metal Oxide Semiconductor) — полевой МОП-транзистор с лавинной инжекцией заряда, базовый элемент одного из вариантов энергонезависимых постоянных запоминающих устройств.

Конструкция транзистора была предложена Фроман-Бенчковским в 1971 году и отличается от обычного полевого транзистора наличием "плавающего затвора", т. е. проводящей области над каналом, которая изолирована от других частей структуры и на которой можно хранить электрический заряд. Изменение величины отрицательного заряда на плавающем затворе приводит к сдвигу вольт-амперной характеристики транзистора, что и используется для кодирования логических состояний 1 и 0. Для переноса электронов из подложки на плавающий затвор используется явление лавинного пробоя перехода исток(сток)--подложка ("лавинная инжекция"), а для удаления электронов с плавающего затвора структура облучается ультрафиолетовым светом через специально создаваемое в микросхеме кварцевое окно, и фотовозбужденные электроны с плавающего затвора возвращаются в подложку. Существует два варианта конструкции транзистора, отличающиеся наличием или отсутствием обычного управляющего затвора (варианты "с плавающим затвором" и "с двойным затвором").

Недостатком ЛИЗМОП-транзисторов является ограниченное число перезаписей информации (порядка 100) и невозможность изменения информации в отдельно взятой ячейке памяти без стирания информации во всей микросхеме. Поэтому в 80-е годы ЛИЗМОП-структуры были вытеснены другими конструкциями энергонезависимой памяти, позволяющими стирать информацию чисто электрическим способом.

См.также

• Транзистор с плавающим затвором

Ссылки

• Дьяконов В. П. Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах. М. "Советское радио", 1973, 208 с.
• Дьяконов В. П. Запоминающие устройства на лавинных полупроводниковых приборах. Известия вузов. Приборостроение. т. XXIII, № 4, 1975, с. 86-91.
• Дьяконов В. П. Intel. Новейшие информационные технологии. Достижения и люди. М.: СОЛОН-Пресс, 2004, 416 с.
• А. И. Лебедев. Физика полупроводниковых приборов. Физматлит, 2008.