Транзистор с плавающим затвором

Эту страницу предлагается объединить с ЛИЗМОП. Пояснение причин и обсуждение — на странице Википедия:К объединению/6 ноября 2011. Обсуждение длится одну неделю (или дольше, если оно идёт медленно). Дата начала обсуждения — 2011-11-06. Если обсуждение не требуется (очевидный случай), используйте другие шаблоны. Не удаляйте шаблон до подведения итога обсуждения.

Транзи́стор с пла́вающим затво́ром — разновидность полевого МОП-транзистора, используемая в различных устройствах энергонезависимой памяти: флэш-памяти, EEPROM.

Затвор транзистора расположен в глубине диэлектрика на некотором удалении от всех контактов транзистора, что не позволяет электронам, обладающим маленькой энергией, попадать на него. Рядом с ним расположен управляющий затвор. Если к нему приложить высокое напряжение, то многие электроны приобретают настолько высокую энергию, что могут проходить сквозь диэлектрик и осаждаться на плавающем затворе (инжекция «горячих» электронов), и его заряд из нейтрального становится отрицательным. Электроны, попавшие на плавающий затвор, могут оставаться там в течение десятков лет, причем их количество не будет уменьшаться, если на транзистор не подается напряжение. Если же приложить к управляющему затвору напряжение противоположного знака, то электроны начинают с него стекать, тем самым разряжая его. Очевидно, что плавающий затвор в данном случае выполняет ту же роль, что и конденсатор в памяти DRAM — он хранит запрограммированную информацию. Таким образом, мы имеем два стационарных состояния транзистора: плавающий затвор или не имеет заряда, или заряжен отрицательно, соответственно, первое отвечает логическому нулю, а второе — единице.

См.также

• ЛИЗМОП.