Рекомбинация (физика полупроводников)

Рекомбинация (физика полупроводников)
У этого термина существуют и другие значения, см. Рекомбинация.

Рекомбинация — исчезновение носителей заряда в результате столкновения зарядов противоположных знаков (при «низких» скоростях).

В полупроводниках возможны следующие варианты рекомбинации:

  • межзонная — непосредственный переход электронов в валентную зону, существенна в собственных полупроводниках и полупроводниках с узкой запрещённой зоной с минимальным количеством дефектов
  • через промежуточные уровни в запрещённой зоне, существенна в примесных полупроводниках.

В образцах с больши́м значением поверхности на единицу объёма значительно возрастает роль рекомбинации на поверхностных состояниях (поверхностной рекомбинации)

При рекомбинации носителей выделяется энергия, которая передаётся частицам (в том числе квази-). В зависимости от типа частиц-«приёмников» выделяются:

  • излучательная рекомбинация — энергия уносится фотонами
  • безызлучательная рекомбинация — энергия передается фононам решетки или другим частицам (Оже-рекомбинация)

Wikimedia Foundation. 2010.

Игры ⚽ Нужна курсовая?

Смотреть что такое "Рекомбинация (физика полупроводников)" в других словарях:

  • Словарь терминов физики полупроводников — Эта страница глоссарий …   Википедия

  • Оже-рекомбинация — механизм рекомбинации в полупроводниках, при котором лишняя энергия передаётся другому электронному возбуждению. При рекомбинации электрона проводимости и дырки, электрон переходит из зоны проводимости в валентную зону. При этом он теряет энергию …   Википедия

  • Полупроводники —         широкий класс веществ, характеризующихся значениями электропроводности σ, промежуточными между электропроводностью металлов (См. Металлы) (σ Полупроводники 106 104 ом 1 см 1) и хороших диэлектриков (См. Диэлектрики) (σ ≤ 10 10 10 12 ом… …   Большая советская энциклопедия

  • ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… …   Физическая энциклопедия

  • Перель, Владимир Иделевич — Владимир Иделевич Перель Дата рождения: 24 августа 1928(1928 08 24) Место рождения …   Википедия

  • ГОЛДБЕРГЕРА - ТРИМЕНА СООТНОШЕНИЕ — формула, связывающая константу распада и пион нуклонную константу связи : mNgA=FpgpN , (*) где mN масса нуклона, g А=1,18 константа аксиально векторной связи в …   Физическая энциклопедия

  • Электронно-дырочный переход — (p n переход)         область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Поскольку в р области Э. д. п. концентрация дырок гораздо выше, чем в n области, дырки из n области… …   Большая советская энциклопедия

  • КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того …   Физическая энциклопедия

  • РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ЦЕНТРЫ — дефекты или примесные атомы (ионы) в кристаллич. решётке, на к рых происходит рекомбинация электронно дырочной пары (см. Рекомбинация носителей заряда). Процесс осуществляется путём последоват. захвата электрона и дырки центром. Энергетич. уровни …   Физическая энциклопедия

  • Фотопроводимость —         фоторезистивный эффект, увеличение электропроводности полупроводника (См. Полупроводники) под действием электромагнитного излучения. Впервые Ф. наблюдалась в Se У. Смитом (США) в 1873. Обычно Ф. обусловлена увеличением концентрации… …   Большая советская энциклопедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
… Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»