Дно зоны проводимости

Дно зоны проводимости
Question book-4.svg
 В этой статье не хватает ссылок на источники информации.
Информация должна быть проверяема, иначе она может быть поставлена под сомнение и удалена.
Вы можете отредактировать эту статью, добавив ссылки на авторитетные источники.
Эта отметка установлена 13 мая 2011.

Дном зоны проводимости называется самое низкое по энергии состояние в зоне проводимости полупроводника, а также энергия этого состояния.

В зависимости от полупроводника дно зоны проводимости может находиться в разных точках зоны Бриллюэна: Γ, X, L (отвечающие различной симметрии зоны в различных направлениях) и т. д. Точки в центре и на краях зоны Брилюена обязательно является минимумамы или максимумами закона дисперсии (из-за условий на периодичность потенциала). Однако существуют полупроводники, например кремний, для которых дно зоны проводимости не совпадает с никакой особой точкой зоны Брилюена.

Если дно зоны проводимости не приходится на Γ точку, то оно является выродженным.

Для органических полупроводников используется термин самая низкая незаселённая молекулярная орбиталь (англ. lowest unoccupied molecular orbital).


Wikimedia Foundation. 2010.

Игры ⚽ Нужна курсовая?

Полезное


Смотреть что такое "Дно зоны проводимости" в других словарях:

  • дно зоны проводимости — laidumo juostos apačia statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bottom of conduction band vok. Leitungsband Untergrenze, f; untere Grenze des Leitungsbandes, f rus. дно зоны проводимости, n pranc. fond de la bande de conduction, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Ширина запрещённой зоны — это ширина энергетического зазора между дном зоны проводимости и потолком валентной зоны, в котором отсутствуют разрешённые состояния для электрона. У металлов и полуметаллов она равна нулю, в то время как у полупроводников и диэлектриков она… …   Википедия

  • ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… …   Физическая энциклопедия

  • ЗОННАЯ ТЕОРИЯ — твёрдых тел, квантовая теория энергетич. спектра эл нов в кристалле, согласно к рой этот спектр состоит из чередующихся зон (полос) разрешённых и запрещённых энергий. З. т. объясняет ряд св в и явлений в кристалле, в частности разл. хар р… …   Физическая энциклопедия

  • ПОЛУПРОВОДНИКИ — в ва, характеризующиеся увеличением электрич. проводимости с ростом т ры. Хотя часто П. определяют как в ва с уд. электрич. проводимостью а, промежуточной между ее значениями для металлов (s ! 106 104 Ом 1 см 1) и для хороших диэлектриков (s ! 10 …   Химическая энциклопедия

  • Запрещённая зона — Ширина запрещённой зоны различных материалов Материал Форма Энергия в эВ 0 K 300 K Элемент C (мод. Алмаз) непрямая 5,4 5,46–6,4 Si непрямая 1,17 1,12 Ge непрямая 0,75 0,67 Se прямая 1,74 АIV …   Википедия

  • ИНВЕРСИОННЫЙ СЛОЙ — область полупроводника у его поверхности, в к рой равновесная концентрация неосновных носителей заряда больше, чем основных. И. с. возникает, когда поверхность ПП n типа (р типа) по отношению к объёму находится под достаточно большим… …   Физическая энциклопедия

  • p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… …   Физическая энциклопедия

  • Словарь терминов физики полупроводников — Эта страница глоссарий …   Википедия

  • Фотоэлектронная эмиссия —         внешний фотоэффект, испускание электронов твёрдыми телами и жидкостями под действием электромагнитного излучения (фотонов) в вакуум или др. среды. Практическое значение в большинстве случаев имеет Ф. э. из твёрдых тел (металлов,… …   Большая советская энциклопедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
… Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»