Полупроводниковая пластина

Полупроводниковая пластина со сформированным на ней массивом микросхем

Полупроводниковая пластина — полуфабрикат в технологическом процессе производства полупроводниковых приборов и микросхем.

Представляет собой тонкую (250—1000 мкм) пластину из полупроводникового материала диаметром до 450 мм, на поверхности которой с помощью операций планарной технологии формируется массив дискретных полупроводниковых приборов или интегральных микросхем.

После создания необходимой полупроводниковой структуры пластину разрезают на отдельные кристаллы (чипы). Промышленный выпуск полупроводниковых пластин имеет существенное значение для производства интегральных микросхем.

Стандартные размеры

Диаметр круглой пластины

• 1 дюйм.
• 2 дюйма (50,8 мм). Толщина 275 мкм.
• 3 дюйма (76,2 мм). Толщина 375 мкм.
• 4 дюйма (100 мм). Толщина 525 мкм.
• 5 дюймов (127 мм) и 125 мм (4.9 дюйм). Толщина 625 мкм.
• 5,9 дюйма (150 мм, часто называются «6 дюймов»). Толщина 675 мкм.
• 7,9 дюйма (200 мм, часто называются «8 дюймов»). Толщина 725 мкм.
• 11,8 дюйма (300 мм, часто называются «12 дюймов» или «Пластина размером с пиццу»). Толщина 775 мкм.
• 18 дюймов (450 мм). Толщина 925 мкм (ожидается)

См. также

• Подложка
• Multi-Project Wafer