Приближение сильно связанных электронов

Приближение сильно связанных электронов

В приближении сильно связанных электронов предполагается, что полный гамильтониан H системы можно приблизить гамильтонианом изолированного атома, сосредоточенного на каждом узле кристаллической решётки. Атомные орбитали \psi_n, которые являются собственными функциями гамильтониана одного атома H_{at}, как предполагают, являются очень маленькими на расстояниях, превышающих постоянную решётки. Это — то, что подразумевается под сильной связью. Далее предполагается, что любые добавки к атомному потенциалу \Delta U, из которых нужно получить полный гамильтониан системы H, являются заметными только когда атомные орбитали являются маленькими. Решение стационарного уравнения Шрёдингера для единственного электрона \phi, как предполагают, является линейной комбинацией атомных орбиталей

\phi(\vec{r}) = \sum_n b_n \psi_n(\vec{r}).

Это приводит к матричному уравнению для кэффициентов b_n и блоховских энергий \varepsilon в форме

\varepsilon(\vec{k}) = E_m - {\beta_m + \sum_{\vec{R}\neq 0} \gamma_m(\vec{R}) e^{i \vec{k} \cdot \vec{R}}\over b_m + \sum_{\vec{R}\neq 0} \alpha_m(\vec{R}) e^{i \vec{k} \cdot \vec{R}}},

где E_m — энергия m-го атомного уровня,

 \beta_m = -\int \psi_m^*(\vec{r})\Delta U(\vec{r}) \phi(\vec{r}) d\vec{r},
 \alpha_m(\vec{R}) = \int \psi_m^*(\vec{r}) \phi(\vec{r}-\vec{R}) d\vec{r},

и

 \gamma_m(\vec{R}) = -\int \psi_m^*(\vec{r}) \Delta U(\vec{r}) \phi(\vec{r}-\vec{R}) d\vec{r}

интегралы перекрытия.

Модель сильно связанных электронов обычно используется для вычислений электронной зонной структуры и энергетических зон в статическом режиме. Однако динамический отзыв систем можно изучать в комбинации с другими методами, наподобие приближения случайных фаз (RPA).

См. также

Ссылки

  • J.C. Slater and G.F. Koster, Phys. Rev. 94, 1498 (1954).
  • C.M. Goringe, D.R. Bowler and E. Hernández, Rep. Prog. Phys. 60, 1447 (1997).
  • N. W. Ashcroft and N. D. Mermin, Solid State Physics (Thomson Learning, Toronto, 1976).

Wikimedia Foundation. 2010.

Игры ⚽ Нужно сделать НИР?

Полезное


Смотреть что такое "Приближение сильно связанных электронов" в других словарях:

  • Приближение почти свободных электронов — метод в квантовой теории твёрдого тела, в котором периодический потенциал кристаллической решётки считается малым возмущением относительно свободного движения валентных электронов. Приближение почти свободных электронов предусматривает… …   Википедия

  • Метод сильно связанных электронов — В приближении сильно связанных электронов предполагается, что полный гамильтониан H системы можно приблизить гамильтонианом изолированного атома, сосредоточенного на каждом узле кристаллической решётки. Атомные орбитали ψn, которые являются… …   Википедия

  • Приближение сильной связи — В приближении сильно связанных электронов предполагается, что полный гамильтониан H системы можно приблизить гамильтонианом изолированного атома, сосредоточенного на каждом узле кристаллической решётки. Атомные орбитали ψn, которые являются… …   Википедия

  • ФЕРМИ-ПОВЕРХНОСТЬ — изоэнергетич. поверхность в пространстве квазиимпульсов (p пространстве), соответствующая фермы энергии : Здесь дисперсии закон электрона проводимости; s номер энергетич. зоны (см. Зонная теория). Ф. п. отделяет при темп ре Т=0 К занятые… …   Физическая энциклопедия

  • Механика твердых тел — Физика кристаллов Кристалл кристаллография Кристаллическая решётка Типы кристаллических решёток Дифракция в кристаллах Обратная решётка Ячейка Вигнера Зейтца Зона Бриллюэна Структурный фактор базиса Атомный фактор рассеяния Типы связей в… …   Википедия

  • Физика твердого тела — Физика кристаллов Кристалл кристаллография Кристаллическая решётка Типы кристаллических решёток Дифракция в кристаллах Обратная решётка Ячейка Вигнера Зейтца Зона Бриллюэна Структурный фактор базиса Атомный фактор рассеяния Типы связей в… …   Википедия

  • Графен — Пожалуйста, актуализируйте данные В этой статье данные предоставлены преимущественно за 2007 2008 гг …   Википедия

  • Модель Хаббарда — Модель Хаббарда  приближение, используемое в физике твёрдого тела для описания перехода между проводящим и диэлектрическим состояниями. Названа в честь Джона Хаббарда. Является простейшей моделью, описывающей взаимодействие частиц в решётке …   Википедия

  • РАСПРОСТРАНЕНИЕ РАДИОВОЛН — процесс передачи эл. магн. колебаний радиодиапазона (см. РАДИОВОЛНЫ) в пространстве от одного места к другому, в частности от передатчика к приёмнику. В естеств. условиях Р. р. происходит в разл. средах, напр. в атмосфере, космической плазме, в… …   Физическая энциклопедия

  • ХАББАРДА МОДЕЛЬ — одна из фундам. моделей для описания систем сильно взаимодействующих электронов в кристалле. Модель была предложена в 1963 65 Дж. Хаббардом [1 ] и получила широкое развитие в последующие годы. X. м. является осн. моделью для описания зонного… …   Физическая энциклопедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»