- Колоссальное магнетосопротивление
-
Колоссальное магнитное сопротивление, КСМ (англ. Colossal magnetoresistance, CMR) — квантовомеханический эффект заключающийся в сильной зависимости электрического сопротивления материала от величины внешнего магнитного поля. Термин применяется в отношении некоторых ферромагнитных и антиферромагнитных полупроводников, обычно оксидов металлов на базе манганитов со структурой перовскита, в отличие от подобного явления в многослойных пленках — эффект гигантского магнетосопротивления.
Содержание
Математическая формулировка
Магнетосопротивлением называют зависимость электрического сопротивления образца от величины приложенного внешнего магнитного поля. Математически его записывают в виде
где — удельное сопротивление образца в магнитном поле напряженностью [1][2]. На практике также применяются альтернативные формы записи, отличающиеся знаком выражения и использующие интегральное значение сопротивления (то есть полное электрическое сопротивление образца, а не его удельное значение)[3]. Термин колоссальное магнетосопротивление используется для отличия от гигантского, наблюдающегося в пленочных структурах, но так же характеризующегося большими величинами в сравнении с анизотропным магнетосопротивлением[4].
Материалы
- La0,67Ca0,33MnOy: при температуре 77 К и при комнатной температуре[2]
- (Y,Ca)MnO3 [1]
- EuTe [1]
- EuSe: при гелиевых температурах[2]
См. также
- Анизотропное магнитное сопротивление
- Гигантское магнитное сопротивление
- Туннельное магнитное сопротивление
- Спинтроника
Примечания
- ↑ 1 2 3 Никитин С. А. Гигантское магнитосопротивление // Соросовский обозревательный журнал. — 2004. — Т. 8. — № 2. — С. 92—98.
- ↑ 1 2 3 Э. Л. Нагаев Манганиты лантана и другие магнитные проводники с гигантским магнитосопротивлением // Успехи физических наук. — 1996. — Т. 166. — № 8. — С. 833—858. — DOI:10.3367/UFNr.0166.199608b.0833
- ↑ Я. М. Муковский Получение и свойства материалов с колоссальным магнетосопротивлением // Рос. хим. ж. — 2001. — Т. XLV. — № 5—6. — С. 32—41.
- ↑ Colossal Magnetoresistance, Charge Ordering and Related Properties of Manganese Oxides / Ed. by C. N. R. Rao and B. Raveau. — World Scientfic Publishing Co., 1998. — P. 2. — 356 p. — ISBN 978-981-02-3276-4
Ссылки
- New Clues to Mechanism for Colossal Magnetoresistance
- Theory group at Oak Ridge National Laboratory
- Physicsweb article February 1999
Категории:- Физика твёрдого тела
- Гальваномагнитные эффекты
- Квантовые явления
- Компьютерные технологии хранения
- Магнетизм
- Спинтроника
Wikimedia Foundation. 2010.